Mas o que é um dispositivo FRAM?

Na figura seguinte encontra-se uma ilustração de uma única célula para armazenamento de 1 bit empregando a tecnologia.

Fonte: https://www.embedded.com/wp-content/uploads/media-1047116-tiembframcellfig2.jpg

Da tradução de informações obtidas de uma comunicação da Texas Instruments:

FRAM, sigla para memória de acesso aleatório ferroelétrica, combina a rápida leitura e gravação da DRAM (memória de acesso aleatório dinâmico) com a não volatilidade (capacidade de reter dados quando a energia é desligada) e o ultra baixo consumo de energia (em comparação com a EEPROM e Flash). Apesar do nome, o FRAM não é afetado por campos magnéticos porque não há material ferroso (ferro) no chip. O FRAM está sendo usado hoje em várias aplicações, incluindo medição eletrônica, automotiva (por exemplo, air bags inteligentes), impressoras, instrumentação, equipamentos médicos, microcontroladores industriais e identificação por radiofrequência. Uma célula de memória FRAM consiste em um capacitor conectado a uma placa e linha de bits. A orientação do dipolo dentro do capacitor determina se um “1” ou “0” está armazenado. A orientação do dipolo pode ser definida e invertida aplicando tensão em qualquer linha.

Fonte: https://www.ti.com/lit/ml/szzt014a/szzt014a.pdf (104.395 bytes)