Pesquisadores chineses desenvolvem dispositivo de armazenamento semicondutor mais rápido do mundo

A equipe desenvolveu um dispositivo de memória flash — tipo de memória não volátil, como a utilizada em pendrives e SSDs — capaz de atingir uma velocidade de programação de 400 picossegundos (1 picossegundo equivale a um trilionésimo de segundo). Isso significa que o componente pode realizar até 25 bilhões de operações por segundo.

Para efeito de comparação, enquanto um pendrive comum consegue executar aproximadamente 1.000 operações no tempo de um piscar de olhos, esse novo dispositivo seria capaz de realizar 1 bilhão de operações no mesmo intervalo. O recorde anterior era de 2 milhões de operações por segundo.

O avanço é especialmente relevante para aplicações que exigem acesso ultrarrápido a dados e alta eficiência energética, como modelos de IA. Hoje, memórias rápidas como SRAM e DRAM oferecem alta performance, mas são voláteis — ou seja, perdem os dados quando não há fornecimento de energia. Já a memória flash, por ser não volátil, preserva as informações, mas tradicionalmente apresenta velocidades inferiores.

Essa nova tecnologia combina a velocidade das memórias voláteis com a persistência de dados da memória flash, tornando-se uma solução promissora para aplicações de IA, big data e computação de alto desempenho. Além disso, o desenvolvimento pode abrir caminho para dispositivos mais eficientes, com menor consumo de energia e maior durabilidade.